Krzysztof S. Szot uko艅czy艂 studia magisterskie na Uniwersytecie 艢l膮skim w Katowicach w 1977 r. W latach 1977鈥�1982 pracowa艂 jako asystent na Wydziale Matematyki, Fizyki i Chemii tej uczelni, a w latach 1983鈥�1984 by艂 stypendyst膮 w ramach programu organizacji DAAD w Forschungszentrum J眉lich w Niemczech. W 1985 r. obroni艂 rozpraw臋 doktorsk膮 na Uniwersytecie 艢l膮skim (promotor: prof. dr hab. Jan Ha艅derek). W latach 1985鈥�1989 by艂 adiunktem w Instytucie Fizyki U艢, natomiast w okresie 1989鈥�2019 pracowa艂 w presti偶owym Peter Gr眉nberg Institut w Forschungszentrum J眉lich.
W 1997 r. uzyska艂 stopie艅 doktora habilitowanego na Uniwersytecie 艢l膮skim, w 2002 r. zosta艂 profesorem tej uczelni, a w 2008 r. otrzyma艂 tytu艂 profesora nadany przez Prezydenta RP. Do chwili obecnej prowadzi dzia艂alno艣膰 naukow膮 i dydaktyczn膮 na stanowisku profesora w Instytucie Fizyki U艢.
Jest wybitnym naukowcem w dziedzinie fizyki cia艂a sta艂ego specjalizuj膮cym si臋 w pionierskich badaniach nad zjawiskami prze艂膮czania rezystywnego w tlenkach metali, zajmuje si臋 rol膮 defekt贸w strukturalnych (w tym ich organizacji przestrzennej) w kszta艂towaniu w艂a艣ciwo艣ci elektrycznych materia艂贸w oraz procesami redoks w nanoskali. Jego prace, prowadzone m.in. z wykorzystaniem zaawansowanych technik badawczych, takich jak AFM, LEED czy XPS, mia艂y prze艂omowy wp艂yw na zrozumienie mechanizm贸w transportu jon贸w zachodz膮cych w skali nanometrowej, przewodnictwa filamentarnego w izolatorach oraz w艂a艣ciwo艣ci powierzchni modelowych tlenk贸w, takich jak TiO2 i SrTiO3.
Do tej pory opublikowa艂 140 prac w renomowanych czasopismach mi臋dzynarodowych (odnotowano ponad 10鈥�600 ich cytowa艅 bez autocytowa艅), jest wsp贸艂autorem lub edytorem o艣miu ksi膮偶ek oraz wsp贸艂tw贸rc膮 14 patent贸w, co ugruntowa艂o jego pozycj臋 jako jednego z wiod膮cych badaczy w obszarze nanotechnologii i fizyki materia艂贸w funkcjonalnych. Jego kluczowe publikacje, takie jak Redox-Based Resistive Switching Memories (2009) czy Switching the electrical resistance of individual dislocations in SrTiO3 (2006), sta艂y si臋 fundamentem rozwoju elektroniki nowej generacji.
Od 2008 r. prof. Krzysztof Szot prowadzi 艣cis艂膮 i owocn膮 wsp贸艂prac臋 z Uniwersytetem 艁贸dzkim, w szczeg贸lno艣ci z Wydzia艂em Fizyki i Informatyki Stosowanej, koncentruj膮c si臋 na badaniach proces贸w redoks w TiO2, prze艂膮czania rezystywnego, przewodnictwa elektrycznego w nanoskali oraz zaawansowanej charakteryzacji powierzchni. 奥蝉辫贸艂辫谤补肠补 ta zaowocowa艂a licznymi publikacjami o wysokiej cytowalno艣ci, realizowanymi wsp贸lnie przez zespo艂y z 艁odzi, J眉lich i Uniwersytetu 艢l膮skiego, co 艣wiadczy o jej mi臋dzynarodowym znaczeniu.
Istotnym wk艂adem Profesora by艂o zainicjowanie przekazania Uniwersytetowi 艁贸dzkiemu kompletnego systemu pr贸偶niowego wyposa偶onego w spektrometr LEED, kt贸ry do dzi艣 stanowi kluczowe narz臋dzie do charakterystyki strukturalnej pr贸bek. Odegra艂 on r贸wnie偶 fundamentaln膮 rol臋 w budowie oraz rozwoju systemu epitaksji z wi膮zek molekularnych (MBE), umo偶liwiaj膮cego wzrost dwuwymiarowych warstw tlenk贸w badanych pod k膮tem prze艂膮czania rezystywnego i zastosowa艅 w elektronice nowej generacji.
Efektem tej d艂ugofalowej i owocnej wsp贸艂pracy by艂o r贸wnie偶 pozyskanie przez Uniwersytet 艁贸dzki trzech grant贸w badawczych: dw贸ch po艣wi臋conych prze艂膮czaniu rezystywnemu w tlenkach metali oraz jednego dotycz膮cego prze艂膮czania rezystywnego w tlenku grafenu. Uzyskane wyniki przyczyni艂y si臋 do dalszego rozwoju kompetencji badawczych Uniwersytetu 艁贸dzkiego w obszarze fizyki materia艂贸w funkcjonalnych.